RAQ045P01TCRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RAQ045P01TCR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RAQ045P01TCR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | -8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200 pF @ 6 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RAQ045 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RAQ045P01TCRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RAQ045P01TCR | HUF75542P3 | IPD90R1K2C3ATMA1 | AO3415A |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 10V | 10V | 1.5V, 4.5V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | UltraFET™ | CoolMOS™ | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 80 V | 900 V | 20 V |
| 基本製品番号 | RAQ045 | - | IPD90 | AO34 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA | 4V @ 250µA | 3.5V @ 310µA | 900mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | 180 nC @ 20 V | 28 nC @ 10 V | 11 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | -8V | ±20V | ±20V | ±8V |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 3-SMD, SOT-23-3 Variant |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) | 230W (Tc) | 83W (Tc) | 1.5W (Ta) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Ta) | 75A (Tc) | 5.1A (Tc) | 5A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | 14mOhm @ 75A, 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 45mOhm @ 4A, 4.5V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200 pF @ 6 V | 2750 pF @ 25 V | 710 pF @ 100 V | 940 pF @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | TO-220-3 | PG-TO252-3 | SOT-23-3 |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RAQ045P01TCR MOSLAPIS TechnologyHUF75542P3Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3AO3415AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L
IRF9640Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
PMV37EN2RNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
TSM480P06CHTaiwan Semiconductor Corporation-60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POWIRL630STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRFZ34NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
MCH6421-TL-EonsemiMOSFET N-CH 20V 5.5A 6MCPH
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
FDD8580onsemiMOSFET N-CH 20V 35A DPAK
FDN361ANonsemiMOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3FDS7060N7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 19A 8SORAQ045P01LAPIS Technology
NTP6410ANGonsemiMOSFET N-CH 100V 76A TO220ABIPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 6A TO252-3RAQ045P01/TRLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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