RCX081N20の技術仕様
Rohm Semiconductor - RCX081N20技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RCX081N20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.25V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 770mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.23W (Ta), 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | RCX081 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RCX081N20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RCX081N20 | STP50NE10 | SI3447DV | FDD6696 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 2.23W (Ta), 40W (Tc) | 180W (Tc) | 800mW (Ta) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 770mOhm @ 4A, 10V | 27mOhm @ 25A, 10V | 33mOhm @ 5.5A, 4.5V | 8mOhm @ 13A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V | 1926 pF @ 10 V | 1715 pF @ 15 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 50A (Tc) | 5.5A (Ta) | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.25V @ 1mA | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 100 V | 20 V | 30 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM | TO-220 | SuperSOT™-6 | TO-252AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 10 V | 166 nC @ 10 V | 30 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 5 V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 基本製品番号 | RCX081 | STP50N | - | FDD669 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±8V | ±16V |
| シリーズ | - | STripFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
RCX081N20 - Rohm SemiconductorのRCX081N20 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
STP50NE10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 50A TO220ABSI3447DVFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETFDD6696onsemiMOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAKRCX160N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
AON6576Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
STF2HNK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
AOD3N80Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
SI7866ADP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8RCX300N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
IXFX120N25IXYSMOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
CSD18511Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 159A 8VSONSISS70DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
NTLJS3D9N03CTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFNFDS6670SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
RCX100N25FU7LAPIS Technology
IRLZ44NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 47A D2PAKRCX450N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 45A TO220FM| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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