RDN100N20FU6の技術仕様
Rohm Semiconductor - RDN100N20FU6技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RDN100N20FU6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FN | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 543 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RDN100 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RDN100N20FU6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RDN100N20FU6 | AOD514 | SPB08P06P | FQP2N90 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Infineon Technologies | onsemi |
| 基本製品番号 | RDN100 | AOD51 | SPB08P | FQP2 |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| シリーズ | - | - | SIPMOS® | QFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5A, 10V | 6.5mOhm @ 20A, 10V | 300mOhm @ 6.2A, 10V | 7.2Ohm @ 1.1A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 543 pF @ 10 V | 951 pF @ 15 V | 420 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 30 V | 60 V | 900 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FN | TO-252 (DPAK) | PG-TO263-3-2 | TO-220-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 22.5 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | 17A (Ta), 46A (Tc) | 8.8A (Ta) | 2.2A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 2.6V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 42W (Tc) | 85W (Tc) |
RDN100N20FU6 - Rohm SemiconductorのRDN100N20FU6 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RDN050N20VBSEMI
RDN080N25LAPIS TechnologyAOD514Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252RDN100N20L02LAPIS TechnologySPB08P06PInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3RDN18120143-001-9041KGRDN100N20 YF54LAPIS TechnologyFQP2N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3FQP5N40onsemiMOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3RDN100N20YF54LAPIS TechnologyRDN150N20LAPIS TechnologyHUF76639P3onsemiMOSFET N-CH 100V 51A TO220-3AOD456Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 25V 50A TO252RDN150N20L02LAPIS TechnologyRDN080N25FU6Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
FDPF770N15AonsemiMOSFET N-CH 150V 10A TO220FRDN120N25Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 250V 12A TO220FNRDN100N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 10A TO220FN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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