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Japan(日本語) Korea(한국의) Thailand(ภาษาไทย) Malaysia(Melayu) Singapore(Melayu) Vietnam(Tiếng Việt) Philippines(Pilipino)
アフリカ、インド、中東
United Arab Emirates(العربية) Iran(فارسی) Tajikistan(فارسی) India(हिंदी) Madagascar(malaɡasʲ)
南アメリカ /オセアニア
New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
北米
United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-シングルRDN100N20FU6
Rohm Semiconductor
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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RDN100N20FU6 - Rohm Semiconductor

メーカー 部品型番
RDN100N20FU6
メーカー
LAPIS Technology
Allelco 部品型番
32D-RDN100N20FU6
ECADモデル
モデルの説明
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
パッケージ
TO-220-3 Full Pack
データシート
RDN100N20.pdf
RoHS ステータス
認定
在庫あり: 5050

必須フィールドは、星番号(*)で表されます
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数量
高速オプション
支払方法
認定

規格

RDN100N20FU6の技術仕様
Rohm Semiconductor - RDN100N20FU6技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RDN100N20FU6仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー LAPIS Technology  
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA  
Vgs(最大) ±30V  
技術 MOSFET (Metal Oxide)  
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FN  
シリーズ -  
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 360mOhm @ 5A, 10V  
電力消費(最大) 35W (Tc)  
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack  
パッケージ Bulk  
製品属性 属性値  
運転温度 150°C (TJ)  
装着タイプ Through Hole  
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 543 pF @ 10 V  
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 30 nC @ 10 V  
FETタイプ N-Channel  
FET特長 -  
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V  
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V  
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)  
基本製品番号 RDN100  

環境と輸出分類

属性 説明
RoHS ステータス
湿度感度レベル(MSL) 1 (Unlimited)
州に到達します REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RDN100N20FU6と同様の仕様

製品属性 RDN100N20FU6 AOD514 SPB08P06P FQP2N90
部品型番 RDN100N20FU6 AOD514 SPB08P06P FQP2N90
メーカー Rohm Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies onsemi
基本製品番号 RDN100 AOD51 SPB08P FQP2
パッケージ Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
シリーズ - - SIPMOS® QFET®
FET特長 - - - -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 360mOhm @ 5A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 300mOhm @ 6.2A, 10V 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 543 pF @ 10 V 951 pF @ 15 V 420 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V 30 V 60 V 900 V
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FN TO-252 (DPAK) PG-TO263-3-2 TO-220-3
技術 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 30 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta) 17A (Ta), 46A (Tc) 8.8A (Ta) 2.2A (Tc)
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA 2.6V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
FETタイプ N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
装着タイプ Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs(最大) ±30V ±20V ±20V ±30V
運転温度 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
電力消費(最大) 35W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 42W (Tc) 85W (Tc)

RDN100N20FU6データテーブルPDF

RDN100N20FU6 - Rohm SemiconductorのRDN100N20FU6 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード

PCN陳腐化/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf
データシート
RDN100N20.pdf

郵送方法

納期

在庫のあるアイテムは24時間以内に出荷できます。一部の部品は、すべてのアイテムが当社の倉庫に到着した日から1〜2日以内に配達用に配置されます。また、Allelcoは日曜日を除く17:00頃に1日1回注文します。商品が出荷されると、推定配送時間は輸送方法と配送先に依存します。下の表は、一部の一般的な国のロジスティック時間です。

配送コスト

  1. 発送には、発送のためにエクスプレスアカウントを使用してください。
  2. 出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。
(異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。)

配信方法

  1. DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SFによるグローバル共通出荷がサポートしています。
  2. その他の配送方法は、顧客マネージャーと連絡を取り合ってください。

一般的な国のロジスティック時間参照
地域 ロジスティック時間(日)
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料(kg) 参照DHL(USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
注記:
上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

支払いサポート

お支払い方法は、電信送金(T/T、銀行振込)、ウェスタンユニオン、クレジットカード、PayPalのいずれかからお選びいただけます。

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  1. 電話
    +00852 9146 4856

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