RRS090N03FU7TB1の技術仕様
Rohm Semiconductor - RRS090N03FU7TB1技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RRS090N03FU7TB1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta) |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RRS090N03FU7TB1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RRS090N03FU7TB1 | PSMN005-75B,118 | STS9NF3LL | FDI3632 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Nexperia USA Inc. | STMicroelectronics | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| シリーズ | - | TrenchMOS™ | STripFET™ II | PowerTrench® |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | D2PAK | 8-SOIC | I2PAK (TO-262) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 4V @ 1mA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 230W (Tc) | 2.5W (Tc) | 310W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 9A, 10V | 5mOhm @ 25A, 10V | 19mOhm @ 4.5A, 10V | 9mOhm @ 80A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta) | 75A (Tc) | 9A (Tc) | 12A (Ta), 80A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±16V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 75 V | 30 V | 100 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 10 V | 8250 pF @ 25 V | 800 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 5 V | 165 nC @ 10 V | 17 nC @ 5 V | 110 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | 150°C | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RRS090N03FU7TB1 - Rohm SemiconductorのRRS090N03FU7TB1 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
PSMN005-75B,118Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
RRS075P03GTB1LAPIS TechnologySTS9NF3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A 8SORRS040P03-TBLAPIS TechnologyFDI3632onsemiMOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK
NTR1P02T1onsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3RRS050P03FU7TB1LAPIS Technology
FDMA410NZonsemiMOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
SI4431DYFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFET
RRS075P03TB1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOICRRS050P03TB1LAPIS Technology
STW26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A TO247
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
DMP4051LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
IXFN39N90IXYSMOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
STD8NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7A DPAK
BUK78150-55A/CUXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223RRS090N03TB1LAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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