RS1E200GNTBの技術仕様
Rohm Semiconductor - RS1E200GNTB技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RS1E200GNTB仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.6mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 25.1W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1080 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RS1E |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RS1E200GNTBと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RS1E200GNTB | RS1E320GNTB | RS1E280GNTB | RS1E200BNTB |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 25.1W (Tc) | 3W (Ta), 34.6W (Tc) | 3W (Ta), 31W (Tc) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta) | 32A (Ta) | 28A (Ta) | 20A (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | 42.8 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.6mOhm @ 20A, 10V | 1.9mOhm @ 32A, 10V | 2.6mOhm @ 28A, 10V | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 基本製品番号 | RS1E | RS1E | RS1E | RS1E |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1080 pF @ 15 V | 2850 pF @ 15 V | 2300 pF @ 15 V | 3100 pF @ 15 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP | 8-HSOP | 8-HSOP | 8-HSOP |
RS1E200GNTB - Rohm SemiconductorのRS1E200GNTB PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RS1E320GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 32A 8HSOPRS1E170GNROHNRS1E180LAPIS TechnologyRS1E200AHTBLAPIS TechnologyRS1E280BNFU7TBRHOMRS1E280GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 28A 8HSOPRS1E200BNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 20A 8HSOPRS1E300GNLAPIS TechnologyRS1E240BNFU7TBLAPIS TechnologyRS1E200BNFU7TBLAPIS TechnologyRS1E280BN TBLAPIS TechnologyRS1E280BNRHOMRS1E200BNLAPIS TechnologyRS1E180BNLAPIS TechnologyRS1E240BNLAPIS TechnologyRS1E180BNFU7TBLAPIS TechnologyRS1E320GNLAPIS TechnologyRS1E200BN TBLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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