RSS140N03TBの技術仕様
Rohm Semiconductor - RSS140N03TB技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RSS140N03TB仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | 20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.7mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3150 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 37 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RSS140 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RSS140N03TBと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RSS140N03TB | RSS120N03TB | RSS110N03FU6TB | RSS125N03TB |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 37 nC @ 5 V | 25 nC @ 5 V | 17 nC @ 5 V | 28 nC @ 5 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3150 pF @ 10 V | 1360 pF @ 10 V | 1300 pF @ 10 V | 1670 pF @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.7mOhm @ 14A, 10V | 10mOhm @ 12A, 10V | 10.7mOhm @ 11A, 10V | 8.9mOhm @ 12.5A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta) | 12A (Ta) | 11A (Ta) | 12.5A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| 基本製品番号 | RSS140 | RSS120 | RSS110 | RSS125 |
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RSS130N03TBLAPIS TechnologyRSS140N03-TBLAPIS TechnologyRSS125N03-TBLAPIS Technology
RSS1C101MCN1GSNichiconCAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMDRSS120N03TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
RSS113024WeidmullerIGBT ModuleRSS120N03LAPIS TechnologyRSS100N03FW3TB1LAPIS TechnologyRSS110N03FD5TBLAPIS TechnologyRSS110N03FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 11A 8SOPRSS125N03TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOPRSS130N03FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 13A 8SOPRSS125N03FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOPRSS105N03TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOPRSS110N03LAPIS TechnologyRSS100N03TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 10A 8SOPRSS125N03FD5TBLAPIS Technologyあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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