RYM002N05T2CLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RYM002N05T2CL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RYM002N05T2CL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0.9V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RYM002 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RYM002N05T2CLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RYM002N05T2CL | STB200NF04L | RJK0655DPB-00#J5 | CPH3348-TL-W |
| メーカー | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics | Renesas Electronics America Inc | onsemi |
| 基本製品番号 | RYM002 | STB200N | RJK0655 | CPH3348 |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT3 | D2PAK | LFPAK | 3-CPH |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | 300W (Tc) | 60W (Tc) | 1W (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | 40 V | 60 V | 12 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | 120A (Tc) | 35A (Ta) | 3A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 3.5mOhm @ 50A, 10V | 6.7mOhm @ 17.5A, 10V | 70mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 1mA | 4V @ 250µA | - | 1.4V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0.9V, 4.5V | 5V, 10V | 10V | 1.8V, 4.5V |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SC-100, SOT-669 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26 pF @ 10 V | 6400 pF @ 25 V | 2550 pF @ 10 V | 405 pF @ 6 V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±16V | ±20V | ±10V |
| シリーズ | - | STripFET™ II | - | - |
RYM002N05T2CL - Rohm SemiconductorのRYM002N05T2CL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RYM002N05 T2LLAPIS TechnologySTB200NF04LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A D2PAKRJK0655DPB-00#J5Renesas Electronics America IncMOSFET N-CH 60V 35A LFPAKCPH3348-TL-WonsemiMOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
NDB603ALonsemiMOSFET N-CH 30V 25A D2PAK
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 2A 8SORYM002N05GT2CL MOSLAPIS TechnologyRYM002N05 T2CLLAPIS TechnologyRS1E320GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
IRFR3704TRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 75A DPAK
NVATS4A103PZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAKRYM002N05MGT2CLLAPIS Technology
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 6.9A 8SORYM002N05GT2CLLAPIS Technology
FDPF320N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 21A TO220FRYM002N05MSV
FDP2552onsemiMOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
IRFIZ24NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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