RZE002P02TLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RZE002P02TL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RZE002P02TL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | EMT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 115 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RZE002 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RZE002P02TLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RZE002P02TL | SI4774DY-T1-GE3 | STP77N6F6 | IXFX150N15 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Vishay Siliconix | STMicroelectronics | IXYS |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 115 pF @ 10 V | 1025 pF @ 15 V | 5300 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 60 V | 150 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 | TO-247-3 Variant |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | 5W (Tc) | 80W (Tc) | 560W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | 14.3 nC @ 4.5 V | 76 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±10V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | 16A (Tc) | 77A (Tc) | 150A (Tc) |
| シリーズ | - | SkyFET®, TrenchFET® | DeepGATE™, STripFET™ VI | HiPerFET™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | EMT3 | 8-SOIC | TO-220 | PLUS247™-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | 2.3V @ 1mA | 4V @ 250µA | 4V @ 8mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 9.5mOhm @ 10A, 10V | 7mOhm @ 38.5A, 10V | 12.5mOhm @ 75A, 10V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TA) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | Schottky Diode (Body) | - | - |
| 基本製品番号 | RZE002 | SI4774 | STP77N | IXFX150 |
RZE002P02TL - Rohm SemiconductorのRZE002P02TL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
SI4774DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SOSTP77N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 77A TO220
RZE002P02GZTLLAPIS TechnologyRZE002P02GZ TLLAPIS TechnologyIXFX150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
FDS6679AZonsemiMOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
SPD30N03S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A TO252-3RZE020P02TLLAPIS Technology
NDF11N50ZHonsemiMOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
STD7N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 7A DPAK
HUF76437S3STonsemiMOSFET N-CH 60V 71A D2PAKRZE002P02LAPIS TechnologyRZE002P02 TLLAPIS Technology
CPH6341-M-TL-EonsemiMOSFET P-CH 30V 5A CPH6AO4446Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 15A 8SOICRZE002P02TL MOSLAPIS Technology
2N7002KonsemiMOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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