CSD13306WTの技術仕様
Texas Instruments - CSD13306WT技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD13306WT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DSBGA (1x1.5) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-UFBGA, DSBGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 6 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.2 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | CSD13306 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD13306WTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD13306WT | CSD13385F5 | CSD13380F3 | CSD13201W10 |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DSBGA (1x1.5) | 3-PICOSTAR | 3-PICOSTAR | 4-DSBGA (1x1) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±10V | 8V | 8V | ±8V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.3V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 1.1V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 6-UFBGA, DSBGA | 3-SMD, No Lead | 3-XFDFN | 4-UFBGA, DSBGA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Ta) | 4.3A (Ta) | 3.6A (Ta) | 1.6A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 6 V | 674 pF @ 6 V | 156 pF @ 6 V | 462 pF @ 6 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V | 19mOhm @ 900mA, 4.5V | 76mOhm @ 400mA, 4.5V | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
| シリーズ | NexFET™ | FemtoFET™ | FemtoFET™ | NexFET™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.2 nC @ 4.5 V | 5 nC @ 4.5 V | 1.2 nC @ 4.5 V | 2.9 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 1.2W (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
| 基本製品番号 | CSD13306 | CSD13385 | CSD13380 | CSD13201 |
CSD13306WT - Texas InstrumentsのCSD13306WT PDFデータテーブルとTexas Instrumentsドキュメントをダウンロード
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTARCSD13380F3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTARCSD13201W10Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGACSD15380F3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTARCSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 22A 6WSONCSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
CSD10060ACree WolfspeedDIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO220CSD13202Q2 MOSTexas InstrumentsCSD13306WTexas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGACSD15380F3TTexas InstrumentsCSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGACSD13381F4Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTARCSD13383F4Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTARCSD13302WTexas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGACSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTARCSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH 20V 22A 6SON
CSD126IGBTIGBT Module
CSD10060GCree WolfspeedDIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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