CSD19538Q2の技術仕様
Texas Instruments - CSD19538Q2技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD19538Q2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 59mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 454 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | CSD19538 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD19538Q2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD19538Q2 | CSD22202W15 | CSD19535KTTT | CSD19536KTT |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | CSD19538 | CSD22202 | CSD19535 | CSD19536 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 454 pF @ 50 V | 1390 pF @ 4 V | 7930 pF @ 50 V | 12000 pF @ 50 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 250µA | 1.1V @ 250µA | 3.4V @ 250µA | 3.2V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | 1.5W (Ta) | 300W (Tc) | 375W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 8 V | 100 V | 100 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) | 9-DSBGA | DDPAK/TO-263-3 | DDPAK/TO-263-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | 8.4 nC @ 4.5 V | 98 nC @ 10 V | 153 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 2.5V, 4.5V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | 9-UFBGA, DSBGA | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | -6V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 59mOhm @ 5A, 10V | 12.2mOhm @ 2A, 4.5V | 3.4mOhm @ 100A, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14.4A (Ta) | 10A (Ta) | 200A (Ta) | 200A (Ta) |
CSD19538Q2 - Texas InstrumentsのCSD19538Q2 PDFデータテーブルとTexas Instrumentsドキュメントをダウンロード
CSD22202W15Texas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGACSD19535KTTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19536KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
CSD20060Cree LEDCSD20C00CRONUSCSD19536KTTRTexas InstrumentsCSD22204WTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
CSD19535KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3CSD19535KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD206A0Cree LEDCSD19537Q3TTexas InstrumentsCSD22100EHARRISCSD19536KTTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19538Q2TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSONCSD19538Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A 8VSONCSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSONCSD19536KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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