APT51F50Jの技術仕様
Microchip Technology - APT51F50J技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT51F50J仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 37A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 51A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT51F50 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT51F50Jと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT51F50J | APT51M50J | APT50N60JCU2 | APT53N60BC6 |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | 480W (Tc) | 290W (Tc) | 417W (Tc) |
| シリーズ | - | - | - | CoolMOS™ |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 基本製品番号 | APT51F50 | APT51M50 | - | APT53N60 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 51A (Tc) | 51A (Tc) | 52A (Tc) | 53A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 600 V | 600 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | ISOTOP® | SOT-227 | TO-247 [B] |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 37A, 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | 45mOhm @ 22.5A, 10V | 70mOhm @ 25.8A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 25 V | 11600 pF @ 25 V | 7200 pF @ 25 V | 4020 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 154 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 3.9V @ 3mA | 3.5V @ 1.72mA |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
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APT541-227-0000MicrosemiIGBT Module
APT541-227-0030APTIGBT ModuleAPT50M85JVRXMicrosemiIGBT ModuleAPT50SM120BPMICROSEAPT50M85JVFR CC1188APTIGBT ModuleAPT50N50JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT51M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOPAPT541-227-000APTIGBT ModuleAPT541-227-1320APTIGBT ModuleAPT50N60JCU2Microsemi CorporationMOSFET N-CH 600V 52A SOT227APT53N60BC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 53A TO247APT50N50NOIGBT ModuleAPT541-227-1334MicrosemiIGBT ModuleAPT53F80JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 57A ISOTOPAPT50N60JCCU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 50A SOT227APT50M85LVRAPTAPT541-227-0001APTIGBT ModuleAPT50M85JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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