APT58M80Jの技術仕様
Microchip Technology - APT58M80J技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT58M80J仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 43A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 17550 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 570 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT58M80 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT58M80Jと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT58M80J | APT56M60B2 | APT6010JFLL | APT56M60L |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| シリーズ | - | POWER MOS 8™ | POWER MOS 7® | - |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | 1040W (Tc) | - | 1040W (Tc) |
| 基本製品番号 | APT58M80 | APT56M60 | APT6010 | APT56M60 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 43A, 10V | 130mOhm @ 28A, 10V | 100mOhm @ 23.5A, 10V | 130mOhm @ 28A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 17550 pF @ 25 V | 11300 pF @ 25 V | 6710 pF @ 25 V | 11300 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | - | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | TO-247 [B] | ISOTOP® | TO-264 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 47A (Tc) | 60A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 570 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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APT56M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 60A TO247
APT58M50JV2MicrosemiIGBT Module
APT6010LFLLAPTAPT6011LVFRAPTIGBT ModuleAPT6010JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 47A ISOTOPAPT56M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 60A TO264APT6010LFLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 54A TO264APT6010JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 47A ISOTOPAPT5M65BBM19T3GMicrosemiAPT58M50JCU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 58A SOT227APT58M50JU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 58A SOT227APT58M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOPAPT58M50JCU3Microsemi CorporationMOSFET N-CH 500V 58A SOT227APT6011B2VFRAPTAPT58F50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOPAPT58M50JU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 58A SOT227APT58M80JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT6010LLLAPTIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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