JANTX2N6764の技術仕様
Microsemi Corporation - JANTX2N6764技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - JANTX2N6764仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/543 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 38A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 4W (Ta), 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-204AE |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 125 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation JANTX2N6764と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | JANTX2N6764 | JANTX2N6788 | JANTX2N6798 | JANTX2N6766 |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 200 V | 200 V |
| 電力消費（最大） | 4W (Ta), 150W (Tc) | 800mW (Tc) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) | 6A (Tc) | 5.5A (Tc) | 30A (Tc) |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/543 | Military, MIL-PRF-19500/555 | Military, MIL-PRF-19500/557 | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | TO-39 | TO-205AF (TO-39) | TO-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 38A, 10V | 350mOhm @ 6A, 10V | 420mOhm @ 5.5A, 10V | 90mOhm @ 30A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-204AE | TO-205AF Metal Can | TO-205AF Metal Can | TO-204AE |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 125 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 42.07 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V |
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JANTX2N6794IR
JANTX2N6287Microchip TechnologyTRANS PNP DARL 100V 20A TO3JANTX2N6284Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 100V 20A TO204AAJANTX2N6660HARRISJANTX2N6788CDBNSILICONIXJANTX2N6352Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 80V 5A TO66JANTX2N6788Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 6A TO39JANTX2N6768CDBNSILJANTX2N6351Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 150V 5A TO33JANTX2N6798Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AFJANTX2N6650Microchip TechnologyTRANS PNP DARL 80V 10A TO204AAJANTX2N6766Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 30A TO3JANTX2N6768Microsemi CorporationMOSFET N-CH 400V 14A TO3JANTX2N6782IR
JANTX2N6796Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
JANTX2N6661Electro-Films (EFI) / Vishay
JANTX2N6287MACOM Technology SolutionsTRANS PNP DARL 100V 20A TO3JANTX2N6756Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 14A TO204AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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