PMXB56ENZの技術仕様
Nexperia USA Inc. - PMXB56ENZ技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PMXB56ENZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010D-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 3.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 209 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Ta) | |
| 基本製品番号 | PMXB56 |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PMXB56ENZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMXB56ENZ | RD3P130SPTL1 | PMXB40UNE | IRLI540G |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | Rohm Semiconductor | Nexperia | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±8V | ±10V |
| 基本製品番号 | PMXB56 | RD3P130 | - | IRLI540 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010D-3 | TO-252 | DFN1010D-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 100 V | 12V | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Ta) | 13A (Ta) | 3.2A (Ta) | 17A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2.5V @ 1mA | 900mV @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tube |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4V, 10V | 1.2V, 4.5V | 4V, 5V |
| パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 3-XDFN Exposed Pad | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 209 pF @ 15 V | 2400 pF @ 25 V | 556pF @ 10V | 2200 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | 20W (Tc) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | 48W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 11.6nC @ 4.5V | 64 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 3.2A, 10V | 200mOhm @ 6.5A, 10V | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V | 77mOhm @ 10A, 5V |
PMXB56ENZ - Nexperia USA Inc.のPMXB56ENZ PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 100V 13A TO252
PMXB65UPEZNXP Semiconductors
PMXB360ENEAZNexperiaPMXB65UPEFreescale / NXP SemiconductorsPMXB75UPEFreescale / NXP SemiconductorsPMXB360ENEAFreescale / NXP SemiconductorsPMXB40UNENexperiaMOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFNIRLI540GVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 17A TO220-3PMXB56ENNexperiaMOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
PMX-20-0-116WLNSP-HR-01-0QualcommPMXB56ENZNXP SemiconductorsNEXPERIA PMXB56EN - 30 V, N-CHANPMXB75UPEZNexperiaPMXB43UNEZNXP SemiconductorsPMXB120EPEZNexperia USA Inc.MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3PMXB75UPE MOSFreescale / NXP SemiconductorsPMXB65ENEFreescale / NXP SemiconductorsPMXB120EPENXP SemiconductorsPMXB43UNEFreescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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