PXN4R7-30QLJの技術仕様
Nexperia USA Inc. - PXN4R7-30QLJ技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PXN4R7-30QLJ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | MLPAK33 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 15.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2100 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta), 74A (Tc) |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PXN4R7-30QLJと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PXN4R7-30QLJ | IPA50R520CPXKSA1 | HUFA76629D3S | IRFS3006PBF |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | Infineon Technologies | onsemi | International Rectifier |
| サプライヤデバイスパッケージ | MLPAK33 | PG-TO220-3-31 | TO-252AA | D2PAK |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46.2 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | TO-220-3 Full Pack | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta), 74A (Tc) | 7.1A (Tc) | 20A (Tc) | 195A (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Bulk |
| シリーズ | - | CoolMOS™ | UltraFET™ | HEXFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2100 pF @ 15 V | 680 pF @ 100 V | 1285 pF @ 25 V | 8970 pF @ 50 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 15.2A, 10V | 520mOhm @ 3.8A, 10V | 52mOhm @ 20A, 10V | 2.5mOhm @ 170A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 42W (Tc) | 66W (Tc) | 110W (Tc) | 375W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 500 V | 100 V | 60 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±16V | ±20V |
PXN4R7-30QLJ - Nexperia USA Inc.のPXN4R7-30QLJ PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
IPA50R520CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-FPHUFA76629D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAIRFS3006PBFInternational RectifierHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFETIRF6646TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFETIRFI644GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
SI8451DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
IRLR3105TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 25A DPAK
IRF620STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
FDB6690SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 42A TO263ABSPD07N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3IRFI830GVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
PMN50UPE,115Nexperia USA Inc.MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOPFDMA507PZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
STE48NM50STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
DMN62D0U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 380MA SOT23FDD6672AonsemiMOSFET N-CH 30V 65A TO252
DMTH6004SCTB-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 100A TO263ABFDMS8690Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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