FJ6K01010Lの技術仕様
Panasonic Electronic Components - FJ6K01010L技術仕様、属性、パラメーター、およびPanasonic Electronic Components - FJ6K01010L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Panasonic | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | WSMini6-F1-B | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 34mOhm @ 1A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) |
右側の三つのパーツはPanasonic Electronic Components FJ6K01010Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FJ6K01010L | STP7N60M2 | AOI2610E | IRFP250MPBF |
| メーカー | Panasonic Electronic Components | STMicroelectronics | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V | ±25V | - | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | WSMini6-F1-B | TO-220 | TO-251A | TO-247AC |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 10V | - | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 10 V | 271 pF @ 100 V | - | 2159 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | 60W (Tc) | - | 214W (Tc) |
| シリーズ | - | MDmesh™ II Plus | * | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 34mOhm @ 1A, 4.5V | 950mOhm @ 2.5A, 10V | - | 75mOhm @ 18A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) | 5A (Tc) | - | 30A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | TO-220-3 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-247-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 600 V | - | 200 V |
FJ6K01010L - Panasonic Electronic ComponentsのFJ6K01010L PDFデータテーブルとPanasonic Electronic Componentsドキュメントをダウンロード
STP7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A TO220AOI2610EAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 60V 46A TO251AIRFP250MPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
IRF7240TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
RJK1576DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 150V 25A WPAK
IRF5804TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
NTD24N06LT4GFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
RRS090N03FU7TB1Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
SIHG24N65E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
IRFH5106TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFNSTP1N105K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220FDP39N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3AUIRF7769L2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
SPB02N60S5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRFIZ46NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP
STB75N20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
AUIRFB8407Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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