UPA2813T1L-E2-ATの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - UPA2813T1L-E2-AT技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - UPA2813T1L-E2-AT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.2mOhm @ 27A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3130 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A (Tc) | |
| 基本製品番号 | UPA2813 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc UPA2813T1L-E2-ATと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | UPA2813T1L-E2-AT | UPA2807T1L-E1-AT | UPA2816T1S-E2-AT | UPA2810T1L-E2-AY |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 基本製品番号 | UPA2813 | - | UPA2816 | - |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | - | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | +20V, -25V | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A (Tc) | - | 17A (Tc) | 13A (Ta) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | - | 8-PowerWDFN | 8-VDFN Exposed Pad |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | - | 30 V | 30 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | - | 33.4 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | 2.5V @ 1mA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3130 pF @ 10 V | - | 1160 pF @ 10 V | 1860 pF @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) | - | 8-HWSON (3.3x3.3) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| シリーズ | - | * | - | - |
| FETタイプ | P-Channel | - | P-Channel | P-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.2mOhm @ 27A, 10V | - | 15.5mOhm @ 17A, 10V | 12mOhm @ 13A, 10V |
UPA2813T1L-E2-AT - Renesas Electronics America IncのUPA2813T1L-E2-AT PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
UPA2807T1L-E1-ATRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFETUPA2816T1S-E2-ATRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 30V 17A 8HWSONUPA2811T1L-E2-AYRenesas Electronics CorporationUPA2820T1SRenesas Electronics CorporationUPA2805UT1L-E2-AYRENESAAUPA2804T1LRenesas Electronics CorporationUPA2810T1L-E2-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 30V 13A 8DFNUPA2814T1S-E1-AYRenesas Electronics CorporationUPA2820T1S-E2-ATRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 30V 8HVSONUPA2810T1L-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 30V 13A 8DFNUPA2815T1S-SSARenesas Electronics CorporationUPA2815T1S-E2-ATRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 30V 21A 8HWSONUPA2821T1L-E1Renesas Electronics CorporationUPA2805UT1LNECUPA2810T1LRenesas Electronics CorporationUPA2821Renesas Electronics CorporationUPA2814T1S-00-J5Renesas Electronics CorporationUPA2807T1L-E2-ATRenesas Electronics Corporation| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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