SCTW35N65G2Vの技術仕様
STMicroelectronics - SCTW35N65G2V技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - SCTW35N65G2V仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | +22V, -10V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| 電力消費（最大） | 240W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V, 20V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SCTW35 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics SCTW35N65G2Vと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SCTW35N65G2V | SCTW90N65G2V | SCTWA30N120 | SCTH35N65G2 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | ST/TESLA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 5V @ 250µA | 3.5V @ 1mA (Typ) | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 400 V | 3300 pF @ 400 V | 1700 pF @ 400 V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V, 20V | 18V | 20V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - |
| 電力消費（最大） | 240W (Tc) | 390W (Tc) | 270W (Tc) | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) | 90A (Tc) | 45A (Tc) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 20A, 20V | 25mOhm @ 50A, 18V | 100mOhm @ 20A, 20V | - |
| 基本製品番号 | SCTW35 | SCTW90 | SCTWA30 | - |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| Vgs（最大） | +22V, -10V | +22V, -10V | +25V, -10V | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 650 V | 1200 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ | HiP247™ | HiP247™ Long Leads | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | - |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 20 V | 157 nC @ 18 V | 105 nC @ 20 V | - |
SCTW35N65G2V - STMicroelectronicsのSCTW35N65G2V PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
SCTH35N65G2ST/TESLASCTL90N65G2VSTMicroelectronicsSCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsSCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsSCTW40N120G2VSCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsSCTW70N120G2VSTMicroelectronicsSCTH40N120G2V7AGSCTW90N65G2VSTMicroelectronicsSICFET N-CH 650V 90A HIP247SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsSCTW100N65G2AGSTMicroelectronicsSCTWA30N120STMicroelectronicsIC POWER MOSFET 1200V HIP247SCTWA20N120STMicroelectronicsSCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsSCTW35N65G2VAGSTMicroelectronicsSCTMV3STMicroelectronicsSCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsSCTWA35N65G2VSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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