STB21NM60NDの技術仕様
STMicroelectronics - STB21NM60ND技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB21NM60ND仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | FDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 220mOhm @ 8.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB21N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB21NM60NDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB21NM60ND | STB21NM50N | STB22NM60N | STB21NM60N |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 220mOhm @ 8.5A, 10V | 190mOhm @ 9A, 10V | 220mOhm @ 8A, 10V | 220mOhm @ 8.5A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 500 V | 600 V | 600 V |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | 140W (Tc) | 125W (Tc) | 140W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 44 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D²PAK (TO-263) | D2PAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STB21N | STB21N | STB22 | STB21N |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±30V | ±25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | 18A (Tc) | 16A (Tc) | 17A (Tc) |
| シリーズ | FDmesh™ II | MDmesh™ II | MDmesh™ II | MDmesh™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800 pF @ 50 V | 1950 pF @ 25 V | 1300 pF @ 50 V | 1900 pF @ 50 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
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STB21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 18A D2PAKSTB22NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 16A D2PAKSTB21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STB21NK50ZT4STMicroelectronics
STB21NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 18A I2PAKSTB21NM60N-1 MOSSTMicroelectronicsSTB22N95K5 22N95K5STMicroelectronicsSTB230F02STMicroelectronicsSTB22NE10LT4 MOSSTMicroelectronicsSTB21NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A I2PAKSTB21NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 17A D2PAKSTB21NM50NDSTMicroelectronicsSTB22NE10LT4STMicroelectronicsSTB22NS25ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 250V 22A D2PAKSTB21NM60ND MOSSTMicroelectronicsSTB22N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 15A D2PAKSTB21NK50Z MOSSTMicroelectronicsSTB23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 16A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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