STD10LN80K5の技術仕様
STMicroelectronics - STD10LN80K5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD10LN80K5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) | |
| シリーズ | MDmesh™ K5 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 630mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 427 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD10 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD10LN80K5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD10LN80K5 | STD1063T4 | STD100NH03LT4 | STD10N60M2 |
| メーカー | STMicroelectronics | onsemi | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | - | 100W (Tc) | 85W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) | - | DPAK | DPAK |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 630mOhm @ 4A, 10V | - | 5.5mOhm @ 30A, 10V | 600mOhm @ 3A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | - | 30 V | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | - | 60A (Tc) | 7.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 5V, 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | - | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| シリーズ | MDmesh™ K5 | * | STripFET™ III | MDmesh™ II Plus |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 427 pF @ 100 V | - | 4100 pF @ 15 V | 400 pF @ 100 V |
| Vgs（最大） | ±30V | - | ±20V | ±25V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | - | 77 nC @ 10 V | 13.5 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | STD10 | - | STD10 | STD10 |
STD10LN80K5 - STMicroelectronicsのSTD10LN80K5 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD1063T4onsemiNFET DPAK SPCL 500V TR
STD10NF06LT4STMicroelectronicsSTD10N62M2STMicroelectronicsSTD100NH03LT4 MOSSTMicroelectronicsSTD10N60M2 MOSSTMicroelectronicsSTD1017T4MOTOROLASTD10NF06STMicroelectronicsSTD100NH03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 60A DPAKSTD10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7.5A DPAKSTD1048T4MOTOROLASTD1044T4MOTOROLASTD10N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8A DPAKSTD105N10F7HTSTMicroelectronicsSTD10N60M2 10N60M2STMicroelectronicsSTD105N10F7AGSTMicroelectronicsSTD10N60STMicroelectronicsSTD1057TAMI Semiconductor/onsemiSTD10N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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