STL11N3LLH6の技術仕様
STMicroelectronics - STL11N3LLH6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL11N3LLH6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta), 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1690 pF @ 24 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL11 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL11N3LLH6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL11N3LLH6 | STL10N65M2 | STL110N4F7AG | STL110NS3LLH7 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta), 50W (Tc) | 48W (Tc) | 94W (Tc) | 4W (Ta), 75W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 650 V | 40 V | 30 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | STL11 | STL10 | STL110 | STL110 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1690 pF @ 24 V | 315 pF @ 100 V | 1150 pF @ 25 V | 2110 pF @ 25 V |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | STripFET™ H7 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | 10.3 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 13.7 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (3.3x3.3) | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 5.5A, 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V | 4mOhm @ 54A, 10V | 3.4mOhm @ 14A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 4.5A (Tc) | 108A (Tc) | 120A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±20V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.3V @ 1mA |
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STL10N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLATSTL115N10F7AGSTMicroelectronicsSTL117N4LF7HTSTMicroelectronicsSTL110N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 108A POWERFLATSTL11NH3LLSTMicroelectronicsSTL110NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 120A POWERFLATSTL10N60M6STMicroelectronicsSTL11N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 HSTL11N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 11A POWERFLATSTL120N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 55A POWERFLATSTL11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLATSTL110NS3LLH7 MOSSTMicroelectronicsSTL10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56STL120N2VH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 20V 120A POWERFLATSTL120N4LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATSTL120N2VH5 MOSSTMicroelectronicsSTL120N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 120A POWERFLATSTL110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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