STS4DPFS30Lの技術仕様
STMicroelectronics - STS4DPFS30L技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STS4DPFS30L仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | STMicroelectronics | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±16V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
シリーズ | STripFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55mOhm @ 2.5A, 10V | |
電力消費(最大) | 2.5W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1350 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16 nC @ 5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tc) | |
基本製品番号 | STS4D |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STS4DPFS30Lと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | STS4DPFS30L | STS5NF60L | STS4DNFS30L | STS4NF100 |
メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | STripFET™ | STripFET™ | STripFET™ | STripFET™ II |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55mOhm @ 2.5A, 10V | 55mOhm @ 2.5A, 10V | 55mOhm @ 2A, 10V | 70mOhm @ 2A, 10V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1350 pF @ 25 V | 1250 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V |
電力消費(最大) | 2.5W (Tc) | 2.5W (Tc) | 2W (Tc) | 2.5W (Ta) |
運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16 nC @ 5 V | 17 nC @ 5 V | 9 nC @ 5 V | 41 nC @ 10 V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tc) | 5A (Tc) | 4A (Tc) | 4A (Tc) |
基本製品番号 | STS4D | STS5NF60 | STS4D | STS4N |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
Vgs(最大) | ±16V | ±20V | ±16V | ±20V |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 60 V | 30 V | 100 V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V | 10V |
STS4DPFS30L - STMicroelectronicsのSTS4DPFS30L PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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