STW75N60M6の技術仕様
STMicroelectronics - STW75N60M6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW75N60M6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | MDmesh™ M6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 36A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 446W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4850 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 72A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW75 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW75N60M6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW75N60M6 | STW75NF20 | STW70N60M2 | STW72N60DM2AG |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 200 V | 600 V | 600 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 36A, 10V | 34mOhm @ 37A, 10V | 40mOhm @ 34A, 10V | 42mOhm @ 33A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | STW75 | STW75 | STW70 | STW72 |
| シリーズ | MDmesh™ M6 | STripFET™ | MDmesh™ II Plus | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 72A (Tc) | 75A (Tc) | 68A (Tc) | 66A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4850 pF @ 100 V | 3260 pF @ 25 V | 5200 pF @ 100 V | 5508 pF @ 100 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 106 nC @ 10 V | 84 nC @ 10 V | 118 nC @ 10 V | 121 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±25V | ±25V |
| 電力消費（最大） | 446W (Tc) | 190W (Tc) | 450W (Tc) | 446W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
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STW75N20 CMH82N25 MOSSTMicroelectronicsSTW75NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 75A TO247-3STW77N65DM5STMicroelectronicsSTW70N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 68A TO247STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 66A TO247STW70N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 63A TO247-3STW75NF30 MOSSTMicroelectronicsSTW72N60DM2A6STMicroelectronicsSTW77N60M5STMicroelectronicsSTW70N60M2-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 68A TO247STW70N65DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 68A TO247STW72N60DM2STMicroelectronicsSTW77N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 69A TO247-3STW75NF30STMicroelectronicsMOSFET N-CH 300V 60A TO247-3STW75NF30AGSTMicroelectronics
STW75N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 72A TO247STW75N60M6-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 72A TO247-4STW77N65M5 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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