STW8NB100の技術仕様
STMicroelectronics - STW8NB100技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW8NB100仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | PowerMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.45Ohm @ 3.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW8N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW8NB100と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW8NB100 | STW8N120K5 | STW8NK80Z | STW81200TR |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| 基本製品番号 | STW8N | STW8 | STW8NK80 | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V | 505 pF @ 100 V | 1320 pF @ 25 V | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.3A (Tc) | 6A (Tc) | 6.2A (Tc) | - |
| シリーズ | PowerMESH™ | MDmesh™ K5 | SuperMESH™ | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | - |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | 130W (Tc) | 140W (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | 13.7 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 1200 V | 800 V | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.45Ohm @ 3.6A, 10V | 2Ohm @ 2.5A, 10V | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | - |
STW8NB100 - STMicroelectronicsのSTW8NB100 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STW8N120K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1200V 6A TO247STW8NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3STW81200TRSTMicroelectronics
STW8C2SASeoul SemiconductorSTW8NA80STMicroelectronics
STW82101BTRSTMicroelectronicsIC MIXER 695-960MHZ DWN CONVSTW8Q14D-E1Seoul SemiconductorSTW8NB90STMicroelectronicsSTW8NK80Z MOSSTMicroelectronicsSTW8Q14BESeoul Semiconductor Inc.LED WHITE SMDSTW8Q14C-J15E22Y3Seoul SemiconductorSTW8NB80STMicroelectronicsSTW82102BTRSTMicroelectronicsIC MIXER 1425-1910MHZ DWN CONVSTW8N80STMicroelectronicsSTW8Q14CSeoul SemiconductorSTW8NC90ZSTMicroelectronicsSTW88N65M5STMicroelectronicsSTW88N65M5-4STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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