PCN陳腐化/ EOL
Mult Dev A/T / PN Chgs 25/Sep/2021.pdfRS3M M6の技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - RS3M M6技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - RS3M M6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 3 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AB (SMC) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 500 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-214AB, SMC | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 3A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation RS3M M6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RS3M M6G | RS3M R6G | RS3M V6G | RS3M R6 |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 技術 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | - | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | - | - | - | - |
| 速度 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | - | - | - | - |
| 電流 - 平均整流（イオ） | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | - | - | - | - |
RS3M M6 - Taiwan Semiconductor CorporationのRS3M M6 PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
RS3M R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
RS3L110ATTB1Rohm SemiconductorPCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3RS3M R6GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABRS3MTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 3A DO214ABRS3L045GNGZETBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOPRS3M V6GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 3A DO214ABRS3M V7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 3A DO214AB
RS3M-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A SMCRS3M R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 3A DO214AB
RS3KHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABRS3KHR7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABRS3KHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABRS3L140GNGZETBRohm SemiconductorNCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14RS3KHM6GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABRS3KHE3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABRS3M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A SMCRS3M R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABRS3M M6GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 3A DO214ABあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。