データシート
S1x-K Rx.pdfS1J-KR2Gの技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - S1J-KR2G技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - S1J-KR2G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 1.5 µs |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 12pF @ 4V, 1MHz |
| 基本製品番号 | S1J |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation S1J-KR2Gと同様の仕様
| 製品属性 | |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | S1J-KR3G | S1J-JR2 | S1J-JR3 | S1J-E3/5AT |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 逆回復時間（trrの） | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| 電流 - 平均整流（イオ） | - | - | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 速度 | - | - | - | - |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 動作温度 - ジャンクション | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
S1J-KR2G - Taiwan Semiconductor CorporationのS1J-KR2G PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
S1J-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1J-JR2Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1J-JR3Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1J-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1J-E3/51TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1J-KR3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1JA-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACS1J-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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S1J-LTPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AAS1J-M3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S1J-E3/11TElectro-Films (EFI) / VishayS1J/11Electro-Films (EFI) / Vishay
S1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AAS1J/13TElectro-Films (EFI) / Vishay
S1J-Q-CTDiotec SemiconductorCUT-TAPE VERSION. STANDARD RECOS1J-CTDiotec SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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