IRF620STRLPBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRF620STRLPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRF620STRLPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 800mOhm @ 3.1A, 10V | |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 50W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 260 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.2A (Tc) | |
基本製品番号 | IRF620 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRF620STRLPBFと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRF620STRLPBF | IRF6215PBF | IRF6215L | IRF620B |
メーカー | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 |
基本製品番号 | IRF620 | - | - | - |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
FET特長 | - | - | - | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 260 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | 150 V | 150 V | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.2A (Tc) | 13A (Tc) | 13A (Tc) | 5A (Tc) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 800mOhm @ 3.1A, 10V | 290mOhm @ 6.6A, 10V | 290mOhm @ 6.6A, 10V | 800mOhm @ 2.5A, 10V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Bulk |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | TO-220AB | TO-262 | TO-220 |
シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 50W (Tc) | 110W (Tc) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | 47W (Tc) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
IRF620STRLPBF - Vishay SiliconixのIRF620STRLPBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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