IRF820Sの技術仕様
Vishay Siliconix - IRF820S技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRF820S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF820 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRF820Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF820S | IRF820STRR | IRF820B | IRF820PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | - | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) | 2.5A (Tc) | - | 2.5A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | - | TO-220AB |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | - | 24 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | - | 360 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | - | 50W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Through Hole |
| 基本製品番号 | IRF820 | IRF820 | - | IRF820 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | - | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| シリーズ | - | - | * | - |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
IRF820S - Vishay SiliconixのIRF820S PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRF820STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF820PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IRF820.STMicroelectronicsIRF820SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF8252TRPBF MOSIRIRF821PBFVBsemiIRF823 H2HARRISIRF820ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAKIRF820AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
IRF8252PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SO
IRF820STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4A TO220ABIRF820ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF821Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF8252TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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