IRF9630の技術仕様
Vishay Siliconix - IRF9630技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRF9630仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 3.9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF9630 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRF9630と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF9630 | IRF9621 | IRF9620STRLPBF | IRF9620PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 150 V | 200 V | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Tc) | 3.5A (Tc) | 3.5A (Tc) | 3.5A (Tc) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IRF9630 | - | IRF9620 | IRF9620 |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220 | D²PAK (TO-263) | TO-220AB |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) | 40W (Tc) | 3W (Ta), 40W (Tc) | 40W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 700 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 3.9A, 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V |
IRF9630 - Vishay SiliconixのIRF9630 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRF9621Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9630S MOSIRIRF9620STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAKIRF9620S MOSIR
IRF9630PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF9630STRRPBFIRIRF9620PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A TO220ABIRF9630PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABIRF9633Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9622Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9620SVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAKIRF9630STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9630Harris CorporationMOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABIRF9630SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9620STRLVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAKIRF9630STRRVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9630SVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9620STRIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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