SI1031R-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1031R-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1031R-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±6V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-75A | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8Ohm @ 150mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 250mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI1031 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1031R-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1031R-T1-E3 | SI1032R-T1-GE3 | SI1032X-T1-E3 | SI1032R-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V | 0.75 nC @ 4.5 V | 0.75 nC @ 4.5 V | 0.75 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) | 300mW (Ta) | 250mW (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8Ohm @ 150mA, 4.5V | 5Ohm @ 200mA, 4.5V | 5Ohm @ 200mA, 4.5V | 5Ohm @ 200mA, 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-89, SOT-490 | SC-75, SOT-416 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140mA (Ta) | 140mA (Ta) | 200mA (Ta) | 140mA (Ta) |
| 基本製品番号 | SI1031 | SI1032 | SI1032 | SI1032 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-75A | SC-75A | SC-89-3 | SC-75A |
| Vgs（最大） | ±6V | ±6V | ±6V | ±6V |
SI1031R-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI1031R-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1031X-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1026XVishay
SI1026X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563FSI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 140MA SC75ASI1031XElectro-Films (EFI) / VishaySI1031R-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1026X-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1028X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V SC89-6SI1032X-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1032X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3SI1026X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 140MA SC75ASI1029X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 60V SC89-6SI1025X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563FSI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 140MA SC75ASI1032R-T1VSHAYSI1025X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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