SI1305EDL-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 1A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 290mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 860mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI1305 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1305EDL-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1305EDL-T1-E3 | SI1315DL-T1-GE3 | SI1305DL-T1-GE3 | SI1305DL-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | - | 1.8V, 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 250µA (Min) | 800mV @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 450mV @ 250µA (Min) |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | 3.4 nC @ 4.5 V | 4 nC @ 4.5 V | 4 nC @ 4.5 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 1A, 4.5V | 336mOhm @ 800mA, 4.5V | 280mOhm @ 1A, 4.5V | 280mOhm @ 1A, 4.5V |
| シリーズ | - | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
| 基本製品番号 | SI1305 | SI1315 | SI1305 | SI1305 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | - | ±8V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-3 | SC-70-3 | SC-70-3 | SC-70-3 |
| 電力消費（最大） | 290mW (Ta) | 300mW (Ta), 400mW (Tc) | 290mW (Ta) | 290mW (Ta) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 860mA (Ta) | 900mA (Tc) | 860mA (Ta) | 860mA (Ta) |
SI1305EDL-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI1305EDL-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1308EDL-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI1304DL-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI1304DLElectro-Films (EFI) / VishaySI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 900MA SOT323SI1307Electro-Films (EFI) / VishaySI1305DL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3SI1305DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3SI1304BDL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3SI1308EDLElectro-Films (EFI) / VishaySI1304DL-T1-E3VISSI1307DL-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1305EDL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3SI1304DL-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1305DL-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1305DL-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI1308EDL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。