SI4425DDY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4425DDY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4425DDY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.8mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2610 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4425 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4425DDY-T1-GE3 | SI4426DY-T1-E3 | SI4425DY | SI4425FDY-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19.7A (Tc) | 6.5A (Ta) | 11A (Ta) | 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | SI4425 | SI4426 | - | SI4425 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | 50 nC @ 4.5 V | 42 nC @ 5 V | 41 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | PowerTrench™ | TrenchFET® Gen IV |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±20V | +16V, -20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2610 pF @ 15 V | - | 3000 pF @ 15 V | 1620 pF @ 15 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.8mOhm @ 13A, 10V | 25mOhm @ 8.5A, 4.5V | 14mOhm @ 11A, 10V | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | 1.5W (Ta) | 1W (Ta) | 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
SI4425DDY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4425DDY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4425DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4426DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6.5A 8SOSI4425DYFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETSI4425FDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4425BElectro-Films (EFI) / VishaySI4425DDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4426DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOICSI4425BDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4425BDY-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4425BDYSilicon PowerSI4425DDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOSI4425BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOSI4425DDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4425DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4425DDY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4425DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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