SI4427BDY-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4427BDY-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4427BDY-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 12.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.7A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI4427 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4427BDY-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4427BDY-T1-E3 | SI4425FDY-T1-GE3 | SI4426DY-T1-E3 | SI4430-B1-FM |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Silicon Labs |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | - |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) | 1.5W (Ta) | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.7A (Ta) | 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) | 6.5A (Ta) | - |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | 41 nC @ 10 V | 50 nC @ 4.5 V | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Vgs（最大） | ±12V | +16V, -20V | ±12V | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 20-VFQFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 20-QFN (4x4) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | - |
| 基本製品番号 | SI4427 | SI4425 | SI4426 | SI4430 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 12.6A, 10V | 9.5mOhm @ 10A, 10V | 25mOhm @ 8.5A, 4.5V | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C |
SI4427BDY-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI4427BDY-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4430-B1-FMSilicon LabsIC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
SI4426DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4430-A0-FMSilicon LabsIC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
SI4427BDYVISSI4425DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4430-B1-FMRSilicon LabsIC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSI4425DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4429EDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOICSI4427BDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4425DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4426DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6.5A 8SOSI4427DY-T1-E3VISHATSI4427BElectro-Films (EFI) / VishaySI4425FDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4430BElectro-Films (EFI) / VishaySI4427DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4429EDY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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