SI4456DY-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4456DY-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4456DY-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5670 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4456 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4456DY-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4456DY-T1-E3 | SI4455DY-T1-GE3 | SI4456DY-T1-GE3 | SI4459ADY-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 295mOhm @ 4A, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 5mOhm @ 15A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 150 V | 40 V | 30 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | 2A (Ta) | 33A (Tc) | 29A (Tc) |
| 基本製品番号 | SI4456 | SI4455 | SI4456 | SI4459 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5670 pF @ 20 V | 1190 pF @ 50 V | 5670 pF @ 20 V | 6000 pF @ 15 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.8V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 122 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V | 122 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | 5.9W (Tc) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
SI4456DY-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI4456DY-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4455-B1A-FMSilicon
SI4459ADY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4459ADYElectro-Films (EFI) / VishaySI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 2A 8SOSI4460-B1B-FMRSilicon LabsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20VFQFNSI4456DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 33A 8SOSI4455DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4459ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 29A 8SO
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsIC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSI4459AElectro-Films (EFI) / VishaySI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 2.8A 8SOSI4459ADY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4455-B1A-FMRSilicon LabsIC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSI4453DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 10A 8SOSI4455-C2A-GMSilicon LabsIC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSI4460-B1B-FMSiliconSI4460-C2A-GMSiliconSI4453DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 10A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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