SI4462DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4462DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4462DY-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 480mOhm @ 1.5A, 10V | |
電力消費(最大) | 1.3W (Ta) | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.15A (Ta) | |
基本製品番号 | SI4462 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4462DY-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI4462DY-T1-GE3 | SI4463BDY-T1-E3 | SI4462DY-T1-E3 | SI4463BDY-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | 20 V | 200 V | 20 V |
Vgs(最大) | ±20V | ±12V | - | ±12V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
基本製品番号 | SI4462 | SI4463 | SI4462 | SI4463 |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 480mOhm @ 1.5A, 10V | 11mOhm @ 13.7A, 10V | 480mOhm @ 1.5A, 10V | 11mOhm @ 13.7A, 10V |
電力消費(最大) | 1.3W (Ta) | 1.5W (Ta) | - | 1.5W (Ta) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | 2.5V, 10V | - | 2.5V, 10V |
FET特長 | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.15A (Ta) | 9.8A (Ta) | 1.15A (Ta) | 9.8A (Ta) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9 nC @ 10 V | 56 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 10 V | 56 nC @ 4.5 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
SI4462DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4462DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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