SI5856DC-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI5856DC-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI5856DC-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI5856 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI5856DC-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI5856DC-T1-E3 | SI5855DC-T1-E3 | SI5855CDC-T1-E3 | SI5858DU-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | SI5856 | SI5855 | SI5855 | SI5858 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Ta) | 2.7A (Ta) | 3.7A (Tc) | 6A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V | 110mOhm @ 2.7A, 4.5V | 144mOhm @ 2.5A, 4.5V | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V | 7.7 nC @ 4.5 V | 6.8 nC @ 5 V | 16 nC @ 8 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | LITTLE FOOT® | LITTLE FOOT® |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±8V | ±8V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) | 1.1W (Ta) | 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
SI5856DC-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI5856DC-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI5856DC-T1Electro-Films (EFI) / VishaySi5855CDC-T1-GE3VBSEMISI5902BDC-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
SI5902DC-T1Silicon PowerSI5902BDC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8SI5855DCElectro-Films (EFI) / VishaySI5855DC-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI5902DCElectro-Films (EFI) / VishaySI5883DDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI5855CDC-T1-E3 code JGElectro-Films (EFI) / VishaySI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8SI5855DC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8SI5903DC-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI5855CDC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8SI5853DDS-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI5856DCElectro-Films (EFI) / VishaySI5858DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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