SI7160DP-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI7160DP-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI7160DP-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.7mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 5W (Ta), 27.7W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2970 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI7160 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI7160DP-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI7160DP-T1-GE3 | SI7164DP-T1-GE3 | SI7159DP-T1-GE3 | SI7160DP-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 電力消費（最大） | 5W (Ta), 27.7W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) | 5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 30 V | 30 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | SI7160 | SI7164 | SI7159 | SI7160 |
| Vgs（最大） | ±16V | ±20V | ±25V | ±16V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.7mOhm @ 15A, 10V | 6.25mOhm @ 10A, 10V | 7mOhm @ 15A, 10V | 8.7mOhm @ 15A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 60A (Tc) | 30A (Tc) | 20A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2970 pF @ 15 V | 2830 pF @ 30 V | 5170 pF @ 15 V | 2970 pF @ 15 V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
SI7160DP-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI7160DP-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI7164DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SI7164DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7170DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7159DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8SI7164DPVishaySI7166DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI7160DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8SI7157DP-T1-E3VishaySI7156DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8SI7170DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8SI7170DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7170DPSISI7159DPElectro-Films (EFI) / VishaySI7160DPSISI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8SI7159DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7164DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7157DPVishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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