SI7810DN-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI7810DN-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI7810DN-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 5.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI7810 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI7810DN-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI7810DN-T1-GE3 | SI7810DN-T1-E3 | SI7818DN-T1-E3 | SI7812DN-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| 基本製品番号 | SI7810 | SI7810 | SI7818 | SI7812 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 150 V | 75 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 5.4A, 10V | 62mOhm @ 5.4A, 10V | 135mOhm @ 3.4A, 10V | 37mOhm @ 7.2A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 2.2A (Ta) | 16A (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
SI7810DN-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI7810DN-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI7806DNElectro-Films (EFI) / VishaySI7812DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7806DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI7820DNSISI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8SI7812DN-T1-GE3-AElectro-Films (EFI) / VishaySI7810DNSISI7806BDN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8SI7806DN-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8SI7820DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8SI7820DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8SI7810DN-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8SI7806BDPElectro-Films (EFI) / VishaySI7810DN-T1Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。