SIA485DJ-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIA485DJ-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIA485DJ-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.6Ohm @ 500mA, 10V | |
電力消費(最大) | 15.6W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 155 pF @ 75 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.6A (Tc) | |
基本製品番号 | SIA485 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
---|---|---|---|---|
部品型番 | SIA485DJ-T1-GE3 | SIA469DJ-T1-GE3 | SIA477EDJ-T1-GE3 | SIA477EDJT-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | 4.5V, 10V | - | 1.8V, 4.5V |
電力消費(最大) | 15.6W (Tc) | 15.6W (Tc) | - | 19W (Tc) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | - | ±8V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ | - | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® | TrenchFET® Gen III |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
基本製品番号 | SIA485 | SIA469 | SIA477 | SIA477 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.6Ohm @ 500mA, 10V | 26.5mOhm @ 5A, 10V | 14mOhm @ 7A, 4.5V | 13mOhm @ 5A, 4.5V |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | 15 nC @ 4.5 V | 87 nC @ 8 V | 50 nC @ 4.5 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V | 30 V | 12 V | 12 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.6A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
FET特長 | - | - | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 155 pF @ 75 V | 1020 pF @ 15 V | 2970 pF @ 6 V | 3050 pF @ 6 V |
SIA485DJ-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIA485DJ-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。