SIAA02DJ-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIAA02DJ-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIAA02DJ-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | +12V, -8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1250 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 52A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIAA02 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIAA02DJ-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIAA02DJ-T1-GE3 | SIA975DJ-T1-GE3 MOS | SIA922EDJ-T1-GE3 MOS | SIA950DJ-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay | Electro-Films (EFI) / Vishay | Vishay Siliconix |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | - | - | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | - | - | 190V |
| Vgs（最大） | +12V, -8V | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | - | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | Logic Level Gate |
| 基本製品番号 | SIAA02 | - | - | SIA950 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 10V | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | - | - | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | - | - | LITTLE FOOT® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 250µA | - | - | 1.4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | - | - | 4.5nC @ 10V |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1250 pF @ 10 V | - | - | 90pF @ 100V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 8A, 10V | - | - | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | - | - | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 52A (Tc) | - | - | 950mA |
SIAA02DJ-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIAA02DJ-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIA975DJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA922EDJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA950DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6SIA921EDJ-TI-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA975DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6SIA921EDJ-T1/GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA921EDJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6SIA921EDJ-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6LSIA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA975DJElectro-Films (EFI) / VishaySIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6LSIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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