SIHB25N50E-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIHB25N50E-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIHB25N50E-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1980 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIHB25 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIHB25N50E-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIHB25N50E-GE3 | SIHB24N65E-E3 | SIHB33N60E-GE3 | SIHB22N60AE-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | - | - | E |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 12A, 10V | 145mOhm @ 12A, 10V | 99mOhm @ 16.5A, 10V | 180mOhm @ 11A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 650 V | 600 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-263 (D²Pak) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | SIHB25 | SIHB24 | SIHB33 | SIHB22 |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 278W (Tc) | 179W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | 24A (Tc) | 33A (Tc) | 20A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1980 pF @ 100 V | 2740 pF @ 100 V | 3508 pF @ 100 V | 1451 pF @ 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | 122 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
SIHB25N50E-GE3 - Vishay SiliconixのSIHB25N50E-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIHB24N65E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A D2PAKSIHB33N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A D2PAKSIHB22N60AE-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SIHB33N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHB22N60S-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 22A D2PAKSIHB22N60ET1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO263SIHB33N60EF-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A D2PAKSIHB24N65EFT1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 650V
SIHB33N60E-GE3Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V D2PAKSIHB33N60E B33N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHB33N60ET1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A TO263SIHB22N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A D2PAKSIHB30N60E-GE3VishaySIHB23N60E-GE3VishaySIHB33N60ET1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SIHB28N60EF-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 28A D2PAKSIHB24N65ET1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO263SIHB22N60SElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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