SIR802DP-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR802DP-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR802DP-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±12V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5mOhm @ 10A, 10V | |
電力消費(最大) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1785 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) | |
基本製品番号 | SIR802 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIR802DP-T1-GE3 | SIR808DP-T1-GE3 | SIR798DP-T1-GE3 | SIR804DP-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
電力消費(最大) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) | 29.8W (Tc) | 83W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Vgs(最大) | ±12V | ±20V | ±20V | ±20V |
FET特長 | - | - | Schottky Diode (Body) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 25 V | 30 V | 100 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) | 20A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V | 22.8 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 76 nC @ 10 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5mOhm @ 10A, 10V | 8.9mOhm @ 17A, 10V | 2.05Ohm @ 20A, 10V | 7.2mOhm @ 20A, 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1785 pF @ 10 V | 815 pF @ 12.5 V | 5050 pF @ 15 V | 2450 pF @ 50 V |
基本製品番号 | SIR802 | SIR808 | SIR798 | SIR804 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
SIR802DP-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIR802DP-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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