SISHA12ADN-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SISHA12ADN-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SISHA12ADN-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | +20V, -16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SH | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 28W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8SH | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2070 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SISHA12 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SISHA12ADN-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SISHA12ADN-T1-GE3 | SISH615ADN-T1-GE3 | SISH410DN-T1-GE3 | SISH472DN-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 10A, 10V | 4.4mOhm @ 20A, 10V | 4.8mOhm @ 20A, 10V | 8.9mOhm @ 15A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2070 pF @ 15 V | 5590 pF @ 10 V | 1600 pF @ 10 V | 997 pF @ 15 V |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 28W (Tc) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 20 V | 30 V |
| Vgs（最大） | +20V, -16V | ±12V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8SH |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 183 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 25A (Tc) | 22.1A (Ta), 35A (Tc) | 22A (Ta), 35A (Tc) | 15A (Ta), 20A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8SH |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | SISHA12 | SISH615 | SISH410 | SISH472 |
SISHA12ADN-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSISHA12ADN-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SISH129DN-T1-GE3VishaySISH615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAKSISH410DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAKSISH472DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAKSISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAKSISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAKSISH101DN-T1-GE3VishaySISH625DN-T1-GE3VishaySISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAKSISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAKSISS23DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySISH112DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A PPAKSISF00DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySISH434DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAKSISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SSISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAKSISM760LVSISSISM661MX B1SIS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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