SQM120N02-1M3L_GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SQM120N02-1M3L_GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SQM120N02-1M3L_GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14500 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SQM120 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SQM120N02-1M3L_GE3 | SQM10250E_GE3 | SQM120N04-1M9_GE3 | SQM110P04-04L-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 300W (Tc) | 375W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 65A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 40A, 10V | 30mOhm @ 15A, 10V | 1.9mOhm @ 30A, 10V | 4mOhm @ 30A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 基本製品番号 | SQM120 | SQM10250 | SQM120 | SQM110P |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14500 pF @ 10 V | 4050 pF @ 25 V | 8790 pF @ 25 V | 13980 pF @ 20 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 250 V | 40 V | 40 V |
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SQM110P06-8M9LVISHSQM120N04-1M9-GE3VBSEMISQM120N04-1M9VISHSQM10250E_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 65A TO263
SQM120N04-1M7L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM120N03-1M5L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM110P06-07L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM120N04-1M9_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 120A TO263SQM110N04-03-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM110N05-06L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM110P06-8M9L_GE3VishaySQM110P06-07LVishaySQM110P04-04L-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 120A TO263SQM120N04-1M7LVISHSQM110N05-06LVISHSQM120N04-02L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM120N03-1M5LVISHSQM120N04-1M7-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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