FDBL0240N100の技術仕様
onsemi - FDBL0240N100技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDBL0240N100仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HPSOF | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.8mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8755 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 210A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDBL0240 |
右側の三つのパーツはonsemi FDBL0240N100と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDBL0240N100 | FDBL0110N60 | FDBL0260N100 | FDBL0090N40 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.8mOhm @ 80A, 10V | 1.1mOhm @ 80A, 10V | 2.6mOhm @ 80A, 10V | 0.9mOhm @ 80A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 300W (Tc) | 429W (Tj) | 3.5W (Ta), 250W (Tc) | 357W (Tj) |
| 基本製品番号 | FDBL0240 | FDBL0110 | FDBL0260 | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HPSOF | 8-HPSOF | 8-HPSOF | 8-HPSOF |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 111 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V | 116 nC @ 10 V | 188 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 210A (Tc) | 300A (Tc) | 200A (Tc) | 240A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8755 pF @ 50 V | 13650 pF @ 30 V | 9265 pF @ 50 V | 12000 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 100 V | 40 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN | 8-PowerSFN | 8-PowerSFN | 8-PowerSFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
FDBL0240N100 - onsemiのFDBL0240N100 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDBL0110N60onsemiMOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOFFDBL0260N100onsemiMOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOFFDBL0090N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOFFDBL0330N80onsemiMOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOFFDBL0210N80onsemiMOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOFFDBL86066-F085onsemiMOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOFFDBL0150N80onsemiMOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOFFDBL86063onsemiMOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOFFDBL0090N40onsemiMOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOFFDBL0210N80Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDBL86061-F085Fairchild (onsemi)FDBL0630N150onsemiMOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOFFDBL0120N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOFFDBL0120N40onsemiMOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOFFDBL86062-F085onsemiMOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOFFDBL86210Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDBL0065N40onsemiMOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOFFDBL0200N100onsemiMOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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