- Jess***Jones
- 04/17/2026
データシート
BSC886N03LS G.pdfその他の関連文書
Part Number Guide.pdfPCN陳腐化/ EOL
Mult Dev EOL 23/Sep/2022.pdfPCNアセンブリ/オリジン
Assembly Site Update 26/Jul/2016.pdfBSC886N03LSGATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSC886N03LSGATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSC886N03LSGATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs(最大) | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2100 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Ta), 65A (Tc) | |
| 基本製品番号 | BSC886 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSC886N03LSGATMA1と同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSC889N03LSGATMA1 | BSC889N03MSGATMA1 | BSC883N03MSGATMA1 | BSC886N03LS G |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs(最大) | - | - | - | - |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| 電力消費(最大) | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - | - | - | - |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | - | - | - |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | - |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
BSC886N03LSGATMA1 - Infineon TechnologiesのBSC886N03LSGATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSC886N03LS GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC886N03LSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC889N03LSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC884N03MSG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC883N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON
BSC889N03LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC884N03MSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC8899N03MSInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC886N03LSG E8178Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC889N03MSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC900N20NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC900N20NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC886N03LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC884N03MSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC889N03MSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC889N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON
BSC884N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
BSC889N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSONあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。