BSZ105N04NSGの技術仕様
Infineon Technologies - BSZ105N04NSG技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSZ105N04NSG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 14µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS™3 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 35W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1300 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSZ105N04NSGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSZ105N04NSGATMA1 | BSZ110N06NS3GATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSZ100N06NSATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
BSZ110N08NS5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSONBSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSONBSZ100N06LS3GATMA1InfineonBSZ115N03MCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ100N06LS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ100N06NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 40A TSDSONBSZ100N06NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ100N06LS3 G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ100N06LS3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ115N03CSCCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ110N06NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ110N08NS5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ115N03MSCGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ100N06LS3GE8196Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 40A TSDSONBSZ100N06LSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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