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Part Number Guide.pdfIPP100N06S3L-03の技術仕様
Infineon Technologies - IPP100N06S3L-03技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPP100N06S3L-03仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 230µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26240 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 550 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPP100N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPP100N06S3L-03と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPP100N06S3-03 | IPP100N06S3L-04IN | IPP100N06S3L-04 | IPP100N06S3-04 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
IPP100N06S3L-03 - Infineon TechnologiesのIPP100N06S3L-03 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPP100N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP100N06S205AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3IPP100N06S2L05AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3IPP100N06S205AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3IPP100N08S2L-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP100N08S2-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP100N06S3-03Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3IPP100N06S3L-04INInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPP100N08S2L-07 PN08L07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP100N06S2L-05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP100N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 70A TO220-3IPP100N06S3L-04Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3IPP100N06S2L-05 PN06L05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP100N06S2L-05 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3IPP100N08S207AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 70A TO220-3IPP100N06S3-04Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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