- Jess***Jones
- 04/17/2026
IRD3CH11DB6の技術仕様
Infineon Technologies - IRD3CH11DB6技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRD3CH11DB6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 2.7 V @ 25 A | |
| 電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間(trrの) | 190 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | Die | |
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 700 nA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流(イオ) | 25A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | IRD3CH11 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRD3CH11DB6と同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRD3CH101DB6 | IRD3CH11DD6 | IRD3CH101DF6 | IRD3CH16DB6 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 電圧 - 逆(VR)(最大) | - | - | - | - |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 速度 | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 逆回復時間(trrの) | - | - | - | - |
| 電流 - 平均整流(イオ) | - | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
IRD3CH11DB6 - Infineon TechnologiesのIRD3CH11DB6 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRD3CH11DD6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3913RIRIGBT Module
IRD3CH101DF6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3913RMIRIGBT Module
IRD3CH16DB6Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
IRD3CH16DF6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3CH24DD6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3CH24DF6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3CH31DB6Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
IRD3913MIRIGBT Module
IRD3CH101DD6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3912RIRIGBT Module
IRD3CH101DB6Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
IRD3CH11DF6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3913IRIGBT Module
IRD3CH24DB6Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1.2KV 40A WAFER
IRD3CH16DD6Infineon TechnologiesDIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3912RMIRIGBT Moduleあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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