IRFR1010ZTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFR1010ZTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFR1010ZTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 42A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFR1010 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFR1010ZTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFR1010ZTRPBF | IRFR024TRLPBF | IRFR1010Z | IRFR1018ETRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 140W (Tc) | 110W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 42A, 10V | 100mOhm @ 8.4A, 10V | 7.5mOhm @ 42A, 10V | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Tc) | 14A (Tc) | 42A (Tc) | 56A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840 pF @ 25 V | 640 pF @ 25 V | 2840 pF @ 25 V | 2290 pF @ 50 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 基本製品番号 | IRFR1010 | IRFR024 | - | IRFR1018 |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 100µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 60 V | 55 V | 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRFR1010ZTRPBF - Infineon TechnologiesのIRFR1010ZTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFR024TRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRFR1010ZTRLPBFInfineon
IRFR1018EIR/VISHAYIRFR1010ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRFR044IRIRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 56A DPAKIRFR024TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRFR1010ZTRPBF MOSIRIRFR1018ETRLPBFIRIRFR1010ZTRPBF.IRIRFR1010Z MOSIRIRFR1018ZTRPBFIRIRFR024TRVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRFR1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRFR024TRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRFR1018EPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 56A DPAKIRFR110Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRFR110 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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